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IXFN150N65X2

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HiPerFET™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	145A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	355 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	21000 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1040W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-227B
Paket / Fall	SOT-227-4, miniBLOC

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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