Renesas Electronics America / HAT2175H-EL-E
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HAT2175H-EL-E
| Hersteller-Teilenummer: | HAT2175H-EL-E |
| Hersteller: | Renesas Electronics America |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK |
| Datenblätter: | HAT2175H-EL-E Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Renesas Electronics America HAT2175H-EL-E ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | - |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1445 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 15W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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Frachtberechnung
40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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