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HAT2175H-EL-E

Hersteller-Teilenummer:	HAT2175H-EL-E
Hersteller:	Renesas Electronics America
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
Datenblätter:	HAT2175H-EL-E Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	15A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1445 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	15W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	LFPAK
Paket / Fall	SC-100, SOT-669

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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