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RJK03M8DNS-00#J5

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	30A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	14.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2.59 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	20W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-HWSON (3.3x3.3)
Paket / Fall	8-PowerWDFN

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 315000

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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