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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

Hersteller-Teilenummer: TK31V60W,LVQ
Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Datenblätter: TK31V60W,LVQ Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieDTMOSIV
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs86 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3000 pF @ 300 V
FET-FunktionSuper Junction
Verlustleistung (max.)240W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket4-DFN-EP (8x8)
Paket / Fall4-VSFN Exposed Pad
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