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NTMFS4965NFT1G

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	17.5A (Ta), 65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	30.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2.1 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall	8-PowerTDFN

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 10500

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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