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IPP65R190C6XKSA1

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	CoolMOS™
Paket	Tube
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	20.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 730µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	73 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1620 pF @ 100 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	151W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO220-3
Paket / Fall	TO-220-3

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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