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STF10N60M2

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	MDmesh™ II Plus
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	7.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	13.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 100 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220FP
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack

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