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Vishay / Siliconix / SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

Hersteller-Teilenummer: SI5920DC-T1-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Datenblätter: SI5920DC-T1-E3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieTrenchFET®
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusObsolete
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs12nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds680pF @ 4V
Leistung max3.12W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket1206-8 ChipFET™
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