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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / HN3C10FUTE85LF

HN3C10FUTE85LF

Hersteller-Teilenummer: HN3C10FUTE85LF
Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung: RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Dazugewinnen11.5dB
Leistung max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)80mA
Betriebstemperatur-
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketUS6
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 111

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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HN3C10FUTE85LF

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