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STQ1NK60ZR-AP

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	SuperMESH™
Paket	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	300mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	94 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-92-3
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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